3月17，由森蔚汽车联合国内40+主机厂共同组织的“2021中国汽车芯片开发与应用创新技术论坛”在上海举办，旨在共同探讨汽车芯片技术发展趋势、智能驾驶与驱动系统芯片的关键应用技术、国产化芯片开发技术路线等相关内容，进一步推动行业的发展。

比亚迪半导体股份有限公司受邀参加了该汽车芯片技术论坛。公司高级研发经理吴海平在本次论坛上做了题为“新能源汽车功率器件的发展与应用”技术演讲，从新能源功率器件的需求情况、车规级功率半导体的市场布局和技术发展着手，多维度探讨IGBT芯片、SiC模块、功率模块的技术发展。

吴海平先生提到，新能源汽车的发展给功率芯片带来更严格的挑战，意味着更低的损耗和成本，更高的集成度、工作结温和可靠性。同时，更薄的晶圆厚度、精细化、RC IGBT、集成化也成为了IGBT芯片的技术趋势。比亚迪电驱功率模块技术从间接水冷发展到现在的SiC MOS 双面水冷、超声波焊接、纳米银烧结技术，使得SiC MOS在新能源汽车电机驱动上带来明显的效率提升，电机驱动控制器体积减小60%以上。演讲现场氛围热烈，与会人员纷纷给予掌声。

新能源汽车的核心元件IGBT芯片约占电机驱动系统成本的一半，是除电池之外成本第二高的元件，决定了整车的能源效率。比亚迪半导体2009 年推出国内首款自主研发的 IGBT 芯片，2018 年推出 IGBT4.0 芯片，后续还将推出更高性能的IGBT芯片。经过多年的发展，比亚迪半导体已拥有国内领先的功率芯片设计经验，成熟的晶圆制造工艺、功率模块生产能力、独有的测试条件以及应用平台，拥有国内领先的IDM功率半导体产业。截止2020年12月，以IGBT为主的车规级功率器件累计装车超过100万辆，单车行驶里程超过100万公里。

作为新能源汽车下一代功率半导体器件核心，SiC MOSFET可使得电机驱动控制器体积减小60%以上，整车性能在现有基础上再提升10%。2020年7月，比亚迪半导体自主研发的SiC功率模块全面应用于比亚迪全新旗舰豪华轿车“汉”，是国内首款批量搭载SiC功率模块的车型。SiC电控的综合效率高达97%以上，使整车的动力性、经济性表现非常出众。

未来比亚迪功率半导体产业，将不断优化提升IGBT及SiC模块性能表现，往高效率、高集成、高可靠性方向快速发展。