近日，2019新能源汽车三电系统开发与测试技术大会在上海世博展览馆召开。数千名参会代表齐聚一堂共话三电系统领域开发与测试最新技术进展及市场发展。

近年来随着我国大力发展新能源汽车及新能源汽车市场不断扩大，市场对于新能源汽车整车控制系统的开发与产业化的要求更为紧迫和严格。随着产业的逐渐成熟，消费者对新能源汽车的品质要求也越来越高，使得相应的工程开发工作将面临着较大的挑战。

做为开发的验证手段，测试能力的覆盖面和专业性对企业的研发能力极为重要，如何在全新的三电系统开发过程中高效地完成如功率、环境、电源等测试项，将决定了企业在技术领域的竞争力。大会上十余名国内外知名专家、学者、企业负责人围绕业界关注的热点话题发表了主题演讲。

比亚迪作为IGBT技术的“突破者”亮相，IGBT高级研发经理吴海平在研讨会上作《电驱动功率模块的发展与测试》主题演讲。

比亚迪IGBT高级研发经理吴海平作主题演讲

比亚迪是中国第一个实现车规级IGBT大规模量产的企业。2009年，比亚迪自主研发的IGBT芯片正式通过国家科技成果鉴定，标志着中国在IGBT芯片技术上实现零的突破。目前，比亚迪也是中国唯一一家拥有过IGBT完整产业链的车企，包含芯片设计制造，模组设计制造，测试应用平台，以及整车应用。

V-315 模块

汽车级模块封装兼容市场主流产品并支持定制开发，覆盖全电压平台。创新的IGBT4.0技术，功耗低，高坚固性，低寄生电感，低热阻，目前广泛应用于新能源汽车电控器、助力转向、充电桩等领域。

其中V-315广泛应用于混合动力车型，其电流密度大，开关损耗及导通损耗低，采用AlSiC底板（密度仅为铜的1/3，重量更轻）并加入Pin-Fin直接水冷设计，TC循环寿命是Cu底板模块的10倍以上，具有良好的稳定性和品质保障，是目前电动汽车领域装车量最多的全桥IGBT模块。

2018年1月，车用IGBT模块BG600F12LNP系列荣获 “第十二届（2017年度）中国半导体创新产品和技术”、“2018年度中国IC设计公司成就奖之年度最佳功率器件”两大奖项。

SiC MOSFET 模块

1200V/600A三相全桥碳化硅模块，开关速度快、开关损耗小、结温高，利于集成。

应用于电动汽车的电机驱动，实现电控效率提升2-8个点，采用铜底板并加入Pin-Fin直接水冷设计，可应用于不同新能源车型。

V-DSC 双面散热模块

1200V/200A半桥电路拓扑结构，采用双面散热封装结构技术，可灵活配置，根据车型需要的输出功率改变层叠枚数进行设计，可应用于各种新能源车型。

更多产品

汽车级模块

V-215、V-305、V-315、V-415、V-DUAL1、V-PACK1、V-PACK2、 V-DSC、BIP30-7931DBC 系列

工业级模块

34mm、62mm、PIM、BIP25-3824 系列、BIP27-4426 DBC 系列

分立器件

SiC MOSFET 单管、IGBT单管

比亚迪作为国内领先的半导体制造企业，取得了多项研发成果，打破了国外垄断局面。

目前，比亚迪已投入巨资布局性能更加优异的第三代半导体材料SiC（碳化硅），有望于2019年推出搭载SiC电控的电动车。预计到2023年，比亚迪旗下的电动车将全面搭载SiC电控，全面助力新能源行业发展。